通过改变电化学参数可以实现对电沉积生长速度和电腐蚀程度的有效控制，数据从而获得一些有趣的、未见报道的微纳米结构。

安全插图显示了由自组织OFET组成的柔性晶体管矩阵的照片。远光优秀（d）独立OFET的制造程序示意图。

软件图4共轭聚合物晶体的典型分子堆积基序的示意图（a-d）共轭聚合物晶体的典型分子堆积基序的示意图。获评（b）在去除应变后电极的电特性在三个过程中测量1000个循环：半径为1.5mm（向上）的弯曲。胡文平教授领导的课题组深入研究了分子材料的光电性质等，网安取得了多项有重要意义的研究成果。

联盟图7超薄和/或大面积二维单晶技术制备（a）通过范德瓦尔斯外延在石墨烯上的C8-BTBT填料的示意图。单位（b）红宝石晶体管阵列附着在直径11.7mm的玻璃小瓶上的光学显微照片。

同时在器件制备工艺上，数据提出利用有机微纳米线制备器件沟道，贴金膜制备电极，成功制备了场效应器件（Adv.Mater.2008,20,2947。

（f-h）聚PCDA单晶的（f）TEM，安全（g）HRTEM图和（h）SAED图案，证明了2D板状晶体的高质量。2014年获得北京大学王选青年学者奖，远光优秀同年，应邀担任英国皇家化学会期刊CatalysisScienceTechnology副主编。

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